产品简介

WD4000晶圆薄膜厚度测量设备亚纳米级精准量测，解决半导体工艺中薄膜厚度测量中面临的"传统设备分辨率低，无法捕捉纳米级薄膜厚度变化“"硬质探针接触测量易划伤碳化硅、蓝宝石等精密晶圆表面“"多层/特殊晶圆适配难“等测量难题。

WD4000晶圆薄膜厚度测量设备亚纳米级精准量测，解决半导体工艺中薄膜厚度测量中面临的"传统设备分辨率低，无法捕捉纳米级薄膜厚度变化“"硬质探针接触测量易划伤碳化硅、蓝宝石等精密晶圆表面“"多层/特殊晶圆适配难“等测量难题。

一、解决半导体工艺核心痛点

在半导体制造、外延生长、封装减薄等核心工艺中，晶圆薄膜厚度的均匀性与精准度直接决定芯片良率——薄膜厚度偏差哪怕是纳米级，都可能导致光刻失焦、薄膜沉积不均、抛光残留应力等连锁问题，最终造成批量产品报废。WD4000以专属核心技术突破传统测量瓶颈，为超精密薄膜量测提供“精准、高效、无损"的一体化解决方案。

1.半导体工艺中薄膜厚度测量的四大难题

（1）精度不足引发工艺缺陷：传统设备分辨率低，无法捕捉纳米级薄膜厚度变化，导致薄膜沉积不均、光刻焦点深度波动，直接影响电路图案精度与后续蚀刻效果；

（2）接触式测量损伤工件：硬质探针接触测量易划伤碳化硅、蓝宝石等精密晶圆表面，或破坏脆弱薄膜层，造成高价值工件报废；

（3）多层/特殊晶圆适配难：键合晶圆、外延片等多层结构，及低反射率、粗糙表面晶圆的薄膜厚度测量，传统设备易出现信号干扰、数据失真；

（4）效率低且数据脱节：需多设备切换测量薄膜厚度、TTV、粗糙度等参数，流程繁琐且数据不同步，难以适配批量生产的高效检测需求。

2.WD4000薄膜厚度测量核心技术优势

（1） 亚纳米级分辨率

搭载白光干涉光谱分析仪，通过专属数值七点相移算法精准计算，实现亚纳米级（Z向分辨率0.1nm）薄膜局部高度测量，可捕捉最小纳米级厚度变化，确保薄膜厚度数据精准可追溯，满足半导体工艺对量测精度的严苛要求。

（2）双技术适配多元场景

红外传感器技术：探测光经晶圆不同表面反射形成干涉，精准计算两表面间距（即薄膜厚度），专为外延片、键合晶圆等多层结构晶圆设计，轻松破解多层薄膜量测难题；

非接触式光学测量：光谱共焦+白光干涉双重光学技术，不接触晶圆表面与薄膜层，从源头避免划伤、磨损等损伤，适配碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅、玻璃片等多种材质，及光滑/粗糙、低反射率/高反射率等不同表面特性晶圆。

（3） 一体化集成设计

设备集成薄膜厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、表面粗糙度等多参数测量模块，无需多设备切换，一次性完成薄膜厚度及关联几何参数量测，避免数据拼接偏差。搭配自动上下料、CCD Mark定位巡航功能，支持多点、线、面自动测量，移动速度500mm/s，大幅提升批量生产检测效率。

（4）抗干扰设计+智能算法

采用高精度花岗岩基座与独特隔振设计，有效抵御地面振动与空气声波干扰；结合空间滤波、尖峰去噪等智能数据处理算法，过滤环境与设备干扰信号，确保薄膜厚度测量数据的重复性与稳定性，实测数据标准差低至0.03μm级。

二、精准解决客户核心诉求

三、全场景覆盖，不止于半导体

WD4000晶圆薄膜厚度测量设备不仅深度适配半导体行业——覆盖衬底制造、外延生长、晶圆制造、封装减薄等前中后道全工艺段，还广泛应用于3C电子玻璃屏、光学加工、显示面板、光伏等超精密加工领域，可满足不同行业、不同规格晶圆的薄膜厚度精准量测需求。

四、实测数据佐证

（附：3D厚度热力图、2D剖面图，直观呈现薄膜厚度分布；支持Excel/Word/TXT/SPC等多格式报表输出，含CA/PPK/CPK等统计值，满足质量管控需求）

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（注：支持线上咨询、线下工厂考察与设备演示预约。本产品参数将根据技术迭代持续优化，故本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。）